iPon Hírek

1 Gigabites, 40 nm-es DDR3 DRAM a Hynixtől

Dátum | 2009. 02. 10.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | FŐ EGYSÉG

A Hynix, aki a világ memóriagyártó nagyvállalatainak élvonalában foglal helyet, a napokban egy friss közlemény keretein belül bemutatta legfrissebb fejlesztését. A vállalat mérnökei elkészítették első 40 nm-es gyártási technológiára épülő 1Gbites (128 MB) DDR3-as memória chipjüket, amelynek sorozatgyártása a Hynix tervei szerint rövidesen meg is kezdődhet.


Az új, H5TQ1G83CFR típusjelzéssel ellátott memória chip maximális sebessége 2133 Mbps, az információk szerint az újdonság széles feszültségtartományokban képes üzemelni, ám az értékekkel kapcsolatban egyelőre nem osztott meg részleteket a gyártó. A kis memória chip háromdimenziós tranzisztor technológiát használ. A friss modellnek és a 40 nm-es gyártástechnológiának köszönhetően a termelékenység 50%-kal jobb lesz, mint a jelenlegi, 50 nm-es csíkszélességgel készülő DRAM termékek esetében. Az új technológiák a mérnökök állítása szerint csökkentik a szivárgási áram mértékét, és a DRAM chip teljes fogyasztását is mérséklik.

Az új 1 Gb-es DDR3-as memória chip teljes mértékben megfelel az Intel DDR3 RAM szabványának, a chip vizsgálatát, valamint jóváhagyását az Intel fogja végezni. A tervek szerint az újdonság sorozatgyártása az idei év harmadik negyedévében indulhat meg, ezután nem sokkal a különböző gyártók számára elérhetővé válik a chip.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

1. Svindler
2009.02.10. 13:18
VISSZA A HÍRHEZ
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!