iPon Hírek

10 nm-es FinFET technológián dolgozik a TSMC és az ARM

Dátum | 2014. 10. 03.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | FŐ EGYSÉG

Az ARM és a TSMC a jelek szerint hosszabb távú együttműködésre rendezkedett be, ugyanis a felek legfrissebb bejelentése szerint a 10 nm-es FinFET gyártástechnológiával kapcsolatos fejlesztésekben is együttműködnek majd. A több évre szóló együttműködés keretén belül az ARMv8-A IP-t a 10 nm-es FinFET gyártástechnológiára optimalizálják, a döntést pedig a 20 nm-esről 16 nm-es FinFet gyártástechnológiára való átállás sikere indokolta. Maga a FinFET gyártástechnológia háromdimenziós tranzisztorokra épül, csak úgy, mint az Intel 3D Tri-Gate eljárása. Ennek a gyártástechnológiának a 10 nm-es változatával 2015 negyedik negyedévében sikerülhet elérni az úgynevezett "tape out" fázist, így a köré épülő termékek valószínűleg majd csak valamikor 2016 folyamán jelennek meg. A TSMC egyébként néhány napja számolt be róla, hogy 16 nm-es FinFET gyártástechnológia alkalmazása mellett sikeresen elkészítettek egy 64-bites Cortex-A sorozatú lapkát, amely tökéletesen működőképes. Az ARM azóta a napokban egy másik sajtóközleményt is publikált, amelyben arról számolt be, hogy a 16 nm-es FinFET eljárás segítségével sikerült legyártani egy big.LITTLE konfigurációban működő központi egységet, amely Cortex-A57-es és Cortex-A53-as magokkal rendelkezik. A "big" részleg 2,3 GHz-es magórajelével komoly teljesítményt kínál a rendszer számára, a "LITTLE" megoldás pedig azzal hívja fel magára a figyelmet, hogy általános feladatok végzésekor mindössze 75 milliwattot fogyaszt. A Cortex-A57 2013. április 2-án érte el a "tape out" fázist a TSMC 16 nm-es FinFET gyártástechnológiájával, a TSMC pedig akkoriban azt ígérte, hogy a 28 nm-ről 16 nm-es FinFET eljárásra való átállás akár 40%-os teljesítménynövekedést is eredményezhet.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!