iPon Hírek

3 bit/cella és 43 nm a Sandisk-től

Dátum | 2008. 02. 07.
Szerző | Gabriel
Csoport | ADATTÁROLÁS

Két új flash-áttörést jelentett be a SanDisk a Nemzetközi Szilárdtest-áramkör Konferencia (International Solid-State Circuits Conference) alkalmával, amelyeket a Toshibával együtt valósítottak meg.

Az egyik egy olyan újfajta NAND flash memória, amely minden egyes cellában három adatbitet képes eltárolni. Ez az egy változtatás már önmagában is hozzávetőlegesen 20%-al több tárhelyet jelent, ráadásul a sebesség feláldozása nélkül (ami a SanDisk elmondása szerint továbbra is 8 MB/s), így a fejlesztett változat is elég gyors lesz HD-kamerákban vagy más hasonlóan sebességközpontú eszközökben való használathoz.

A második pedig egy 43 nanométeres, többszintű-cellás formátumú NAND flash memória: itt lényegében a klasszikus "zsúfoljunk minél többet minél kisebb helyre"-elv egy újabb fokozatáról van szó: az új 43-asok a korábbi 56 nm-es chipek kapacitásának kétszeresét bírják el. A teljesítőképességéről ugyan nem ejtettek szót, de azt lehet tudni, hogy a 16 gigabites (2GB) változatokat már most szállítják, míg a 32 gigabiteseket (4GB) az év második felében veszik majd sorra.

A fejlesztett memóriák felhasználását illetően konkrét eszközöket ugyan nem említett a SanDisk, de természetesen biztosra vehető, hogy nem fognak parlagon maradni - mint ahogy az is, hogy más cégeknek is felkínálják majd őket.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

1. bszoke88
2009.01.30. 00:14
vissza a hírhez
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!