iPon Hírek

4 Gb-es, 25 nm-es DDR3 DRAM az Elpidától

Dátum | 2011. 09. 28.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | FŐ EGYSÉG

A Samsung után a napokban az Elpida illetékesei is egy komoly bejelentést tettek: a cég elkészült a piac első 25 nm-es csíkszélességre alapozó, 4 Gb-es kapacitású DDR3-as SDRAM memóriachipjével, amely számos előnyt kínál az előző generációs gyártástechnológiával készülő DDR3 SDRAM-okhoz képest.

Túl sok időre nem volt szüksége a gyártónak, hogy elkészüljön a 25 nm-es gyártástechnológiára alapozó 4 Gb-es DDR3-as SDRAM memóriachipekkel. Az Elpida idén májusban készült el az ugyancsak 25 nm-es csíkszélességű, de csak 2 Gb-es kapacitású DDR3 SDRAM memóriachipekkel, majd nem sokkal ezután, egészen pontosan július folyamán kezdték meg az első mintapéldányok gyártását a nagyobb változatból.

Az újdonság legfőbb tulajdonságai.
Az újdonságok a 30 nm-es gyártástechnológiát alkalmazó, ugyancsak 4 Gigabites kapacitást kínáló DDR3-as SDRAM memóriachipekhez képest 45%-kal javítják a termelékenységet, de ezzel együtt 25-30%-kal kevesebb áramot igényelnek üzem közben, üresjáratban pedig 30-50%-kal kevesebb árammal is beérik, mint 30 nm-es társaik, ezáltal energiatakarékosabban üzemelnek náluk.

Az említett memóriachipek mintapéldányainak szállítása és sorozatgyártásuk beindítása valamikor az év vége felé kezdődhet meg.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások