iPon Hírek

A Hynix is elkezdett 3D V-NAND Flash chipeket gyártani

Dátum | 2015. 07. 30.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | ADATTÁROLÁS

A Samsung a 3D V-NAND technológia bejelentésével hatalmas előnyre tett szert riválisaihoz képest, és ez az előny a mai napig megvan, hisz a legfürgébben reagáló cégek is csak mintegy kétéves késéssel tudták követni a rivális dél-koreai gyártót. A Samsung mára már több 3D V-NAND generáció sikeres bevezetésén van túl, riválisai azonban még csak nemrégiben kezdték meg a termékek nagyobb volumenben történő termelését. Az SK Hynix például a napokban jelentette be, hogy megindult első 3D V-NAND memóriachipjeinek sorozatgyártása: a szóban forgó chipek MLC lapkák köré épülnek, amelyekből egy chipben 36 rétegnyi foglal helyet. A 36 rétegű 3D V-NAND memóriachip 128 Gb-es adattároló kapacitással bír. Arról egyelőre sajnos nincs információ, hogy a chip egyéb paraméterei – például az adatátviteli sebességei – hogyan alakulnak. Az viszont biztos, hogy az új chip versenyképes lesz és több területen is csatasorba áll, így nem csak SSD meghajtókban, de hordozható adattárolókban is találkozhatunk vele a nem is oly távoli jövőben.
Ezzel egy időben egy másik 3D V-NAND chip fejlesztése is zajlik, ami már nem MLC, hanem TLC lapkákat alkalmaz – azaz esetében a cellák kettő helyett három bitnyi adatot tárolnak. Ezekből a lapkákból egy chipen belül 48 darab kap helyet, az viszont ebben az esetben sem derült ki, hogy az új 3D V-NAND chip pontosan milyen paraméterekkel rendelkezik. Egyelőre csak annyi biztos, hogy a TLC alapú 3D V-NAND sorozatgyártását a 2016 folyamán kezdi meg az SK Hynix. Az újdonságok a piaci elemzők szerint nagyban hozzájárulnak majd az SK Hynix saját SSD meghajtóinak fejlődéséhez – mind sebesség, mind megbízhatóság, mind pedig strapabíróság terén.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

1. mikej95
2015.08.01. 21:48
Nem lehetnek annyira hatalmasok azok a számok, ha két év után nem dörgölik azonnal a konkurencia orra alá.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!