iPon Hírek

Áttörés: SRAM chip 0,4V-os üzemi feszültséggel

Dátum | 2011. 12. 09.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | FŐ EGYSÉG

A Fujitsu Semiconductor Limited és a SuVolta Inc. egy meglehetősen érdekes közleményben tudatták, hogy együttműködésüknek köszönhetően olyan ultra-alacsony fesztültséggel működő SRAM chipet sikerült készíteniük, amely 0,425V-os feszültségen is gond nélkül működik.


Ennek azért van komoly jelentősége, mert mióta a 130 nm-es gyártástechnológia bemutatkozott, a CMOS alapú SRAM megoldások nem tudtak belépni az 1V-os üzemi feszültségszint alá, és a helyzet még annak ellenére sem javult sokat, hogy a gyártástechnológia azóta már a 28 nm-es lépcsőnél tart. Az üzemi feszültség csökkentése lényeges szempont, hiszen aktívan hozzájárul a fogyasztáscsökkenéshez. A fogyasztás komoly korlátnak minősül a különböző termékek esetében, ugyanis sokszor ez szab gátat a különböző szolgáltatások hatékony biztosításának.


A két vállalat által kifejlesztett technológia két összetevőből áll: az egyik a SuVolta DDC (Deeply Depleted Channel) tranzisztor technológiája – amely a PowerShrink platform részét képezi – míg a másik a Fujitsu Semiconductor fejlett gyártástechnológiája. Az együttműködés gyümölcseként, az új technológiák alkalmazásával a gyártópáros elkészített egy 576 Kb-es SRAM memóriachipet, amely tökéletesen üzemel 0,425V-os feszültségen, ezt pedig úgy sikerült elérni, hogy a CMOS tranzisztor küszöbfeszültségének (VT) ingadozását a felére csökkentették.

Korábban ezt, azaz az üzemi feszültség csökkentését az RDF (Random Dopant Fluctuation) gátolta, ám a mérnökök két különleges technológia – az ETSOI és a FinFET (Tri-Gate) – segítségével sikeresen csökkentették az RDF mértékét. Nagyrészt az RDF felel az egy chipen belül elhelyezkedő különböző tranzisztorok küszöbfeszültségének véletlenszerű ingadozásáért. 65 nm-en ez az arány 70%, de ahogy a gyártástechnológia fejlődött, az RDF egyre nagyobb jelentőséggel bírt. Az RDF mértékének csökkentésével a küszöbfeszültség ingadozását 50%-kal sikerült csökkenteni, ezáltal lehetőség nyílt az üzemi feszültség (VDD) 30%-os skálázására.

Az újításnak hatalmas jelentősége van, ugyanis a különböző chipek többségénél pont az SRAM akadályozta meg azt, hogy az adott chip üzemi feszültségét 1V alá lehessen csökkenteni.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

4. enisherpa
2011.12.09. 10:12
A következő kérdés az, ahogy mikor lesz ebből eladható termék, és milyen órajelet tesz majd lehetővé..
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
3. Svidi
2011.12.09. 12:35
Azért nem biztos, hogy mindenki tudja mi a **szom az az SRAM. Illett volna beleírni a cikkbe, hogy ezt nem a köztudatban elterjedt RAM-ok helyére szánják, hanem különböző gyorsítótárakba stb, mivel (relatív) kicsi az adattároló képességük és nagyon gyorsak.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
2. PistiSan
2011.12.09. 15:15
+1
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
1. fbi1984
2011.12.11. 22:45
Az SRAM az statikus véletlen elérésű memória. (A DRAM az dinamikus)
Az SRAM nem igényli a cellák frissítését (megcímzése) 20ms-onként, mint ahogy a DRAM.

Az igazán érdekelne, hogy az RDF csökkenése miért tette lehetővé a 0,2 V-os küszöbfeszültség csökkenést. Azzal csak a felfutás lett egyenletesebb.
A grafikon szerint már 0.41V on 90%-osan nyitva van a tranzisztor.
Lehet, hogy csak -270 C-fokon nyit 0.4 V-nál? :-)
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!