iPon Hírek

Csúcssebességű, takarékos ReRAM

Dátum | 2007. 12. 17.
Szerző | Gabriel
Csoport | ADATTÁROLÁS

Előállt a Fujitsu egy újfajta nem felejtő, rezisztív RAM-mal (ReRAM), ami egyesíti magában az alacsony fogyasztást az ellenállás-érték korlátozott váltakozásával.

Az új ReRAM szerkezetét annyiban változtatták meg, hogy a két platina(Pt)-réteg közti nikkel-oxidhoz (NiO) titániumot (Ti) adtak, a tranzisztorból kifelé haladó áramot pedig korlátozták; ezzel a memória törléséhez szükséges áramerősséget 100 mikro-amperre (és esetenként még kevesebbre) sikerült lecsökkenteniük.

Mi több, még a mindössze 5 nanoszekundumos, nagy sebességű törlési műveletek esetén a hagyományos ReRAMoknál megszokott érték egytizedére csökkentették az eszköz minőségére kiható ellenállás-érték váltakozást.

Az új ReRAMot a Fujitsu a flash memóriák alternatívájának tartja, mivel azokhoz hasonlóan egyesítik magukban a gyorsaságot, az alacsony fogyasztást és az alacsony költségeket. Mi több, a ReRAM is könnyedén miniatürizálható és olcsón előállítható, így valóban vonzó választás lehet.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

1. bszoke88
2009.01.30. 00:39
vissza a hírhez
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!