iPon Hírek

Fúziós technológiát a processzorgyártásba!

Dátum | 2009. 08. 21.
Szerző | Gabriel
Csoport | FŐ EGYSÉG

Ahmed HassaneinRendkívül vékony plazmasugarakkal kísérleteznek amerikai kutatók annak érdekében, hogy a "nanolitográfia" egy egészen új szintjére léphessenek. A projekten a Purdue Egyetem és az USA Energiaügyi Minisztériumának Argonne Nemzeti Laboratóriuma munkálkodik.

Két különböző plazmasugár-előállítási technológiát vizsgálnak, amelyekkel 13,5 nanométeres hullámhosszú, ún. "szélsőséges ultraibolya" fényt gerjeszthetnek. Az egyik eljárás egy lézert használ, míg a másik elektromos kisülésekkel dolgozik.

A hatékonyságon egyelőre még mindkét esetben javítani kell, mivel végül a felhasznált energia mindössze 2%-a alakul plazmává. Ahmed Hassanein, a Purdue-i Atommérnöki Intézet vezetőjének elmondása szerint a munka jól halad, és tudják, hogy merre kell menniük, min és hogyan kell javítaniuk, így a kérdés már csak az, hogy mennyi időbe fog telni a technika tökéletesítése.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

9. frail007
2009.08.21. 21:29
VISSZA A HIRHEZ

Hát ez nagyon zsír de mire jók ezek a plazmanyalábok?
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
8. nano
2009.08.21. 22:28
Akkor kezdjük egy kicsit a gyökerektől: A litográfia célja az, hogy egy szilíciumlapkára fény segítségével "rákarcoljanak" egy áramkört. Két karcolat távolságát, vagyis azt, hogy mennyire tudják miniatűrizálni az áramkört leginkább a használt fény hullámhossza határozza meg. Minél kisebb a hullámhossz, annál jobban miniatürizálható. A litográfiában 150-200nm hullámhosszú lézereket használnak fényforrásként. Ehhez képest a 13,5nm igen jelentős előrelépés lenne. És ennek a fénynek az előállításához kell a plazma. Ezt kb. úgy lehet elképzelni, mint az ívhegesztést: Ott is az elektromos ív az lényegileg plazma, és olyan tulajdonságai vannak, hogy igen sok UV fényt sugároz ki magából- ezért is kell a védőpajzs. Amiről ez a hír szól az is valami ilyesmi, csak kontrolláltabban, más hullámhossz tartományban és "kicsit" trükkösebben működik.

És akkor jöjjön a feketeleves: 13,5nm az már inkább Röntgen, mint UV. De nem is az elnevezéssel van a baj, hanem azzal, hogy erre a tartományra normális optikát- főleg olyat, ami eleget tesz a litográfia követelményeinek gyakorlatilag lehetetlen készíteni. Most hirtelen nem találtam róla adatot, de nem tartom lehetetlennek, hogy a 13,5nm-en a szilícium nem nyeli el a fényt, azaz nem is működne a litográfia.

Persze lehet, hogy félreértettem valamit...
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
7. drauthev
2009.08.21. 23:41
@nano: Az a 13,5 nm még igen-igen csak UV, az ún. extrém UV tartományba esik. A röntgensugárzásról kb. 1 nagyságrenddel rövidebb hullámhossztól kezdve beszélünk.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
6. shabbarule...
2009.08.21. 23:58
nano:

Azért a lehetetlen túlzás. Úgy jó évitezed már túljutottak azon hogy lehet EUVL(Extreme ultraviolet lithography) levilágítást alkalmazni. Ma már a tömeggyártásba való beemelése folyik, ami szintén egy évekig eltartó folyamat lesz. Az alfa demo eszközök az elmúlt évek során már elkészültek és kint vannak a gyártóknál tesztelésre. MIndhárom jelentős levilágító eszközöket gyártó cég: ASML, Canon, Nikon hosszú évek óta folytatja az EUVL fejlesztéseit és most már az első generációs eszközök beüzemelésénél tartanak. Jővő nyárra az ASML már az első pre-production termékeket célozza meg, 2012-ig pedig már végleges tömeggyártásra kész eszközök elérhetősége a cél.

Elsőként igen nagy valószínűséggel a NAND flash vagy DRAM memória gyártók fogják az EUVL technológiát felhasználni, de 15 nm-nél már a cpu-k gyártásánál is igen nagy valószínűséggel ezt fogják alkalmazni.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
5. nano
2009.08.22. 00:00
Nem kötekedni akarok, de a lézereknél a 10-20nm-t már röntgennek hívják. Hogy hol a határ a röntgen és az extrém UV között, arról lehetne vitázni, de szerintem teljesen felesleges.

https://www.llnl.gov/str/Dunn.html
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
4. shabbarule...
2009.08.22. 00:14
nano:

Nem nagyon értek a fizikához, de az EUVL egyik szűk keresztmetszete a levilágitó fényforrás teljesítménye, ami jelenleg lézer. A fényforrás teljesítménye és a között hogy milyen a termelékenység(hány wafert képesek levilágítani egy óra alatt) valamilyen arányú összefüggés van. Korábban 50W-os fényforrás teljesítményt tudtak elérni, most már 100-nál járnak és jővőre már 200-zal kalkulálnak a pre-production eszközöknél. Gondolom ez a plazmás megoldás ilyen téren történő tovább lépésben hozhat majd előnyt az EUVL további pályafutása során. Az első demó eszközöknél még elég csekély 5-10 wafer/óra kihoztaltalt értek el, a jővőre érkező 2. generációs eszközöknél már 60 körüli értéket várnak, a végleges eszközöknél pedig 100 fölötti érték a cél.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
3. Konkii
2009.08.22. 00:15
Azért néha meglepődök, hogy miféle szakértők látogatják az iPon fórumát. Öröm olvasni ilyen szösszeneteket, amikről korábban fogalmam sem volt.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
2. shabbarule...
2009.08.22. 00:24
nano:

Egy egész iparág használja az EUV megjelölést több mint egy évtizede, szóval szerintem kár azon vitázni hogy röntgen-e vagy sem.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
1. nano
2009.08.22. 08:50
shabbarulez!

Szerintem az a ritka eset állt elő, hogy egymásnak ellentmondó dolgot állítunk, és mindkettőnknek igazunk van. Ahogy elnézem te a félvezetőgyártás felől közelítetted meg a kérdést. Ahogy utánanéztem, és az ott használatos definíciók szerint a 10 nm még UV-nak szokás nevezni. Én viszont lézerekkel foglalkozok, így lézeres megközelítésből mondtam, amit mondtam. A röngenlézerekkel foglalkozók már az 50nm-t is előszeretettel hívják röntgennek, pontosabban lágyröntgennek: http://www.matud.iif.hu/05dec/03.html

Mondom, lehet ezen vitatkozni, de nem érdemes.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!