iPon Hírek

Gőzerővel fejlődnek a Samsung gyártósorai

Dátum | 2016. 04. 26.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | IT VILÁG

A Samsung mozgalmas év elé néz, ugyanis gyártástechnológia frontján sok-sok komoly újítás bevezetésére lehet számítani. A friss útiterv 7 nm-től 28 nm-ig többféle gyártástechnológiát is lefed, valamint egy új mintázási eljárás bevezetésére is számíthatunk, méghozzá 7 nm-en.
Kezdjük a sort utóbbival, hisz a 7 nm-es gyártástechnológia kapcsán egy különleges újításról is szó esett. Eddig úgy tűnt, hogy még 7 nm-es csíkszélességnél sem váltják le a tripla mintázási eljárást (ArF-i), most viszont úgy gondolják a Samsung illetékesei, költséghatékonyság és termelési hatékonyság terén is számos előnyt tartogat az új, EUV névre keresztelt technológia, így érdemes lenne bevetni. Az EUV, vagyis Extreme Ultra-Violet, azaz Extrém Ultraibolya-sugárzás alapú mintázási eljárás alkalmazása előtt több kihívást is le kell küzdeni, de a végeredmény ismeretében érdemes „küzdeni”, hiszen az EUV pénzt és időt is spórolhat. 10 nm-en már kevesebb a kihívás, hisz gyakorlatilag a 14 nm-es node skálázásáról van szó, ami teljesítmény és előállítási költségek terén egyaránt előrelépést kínál. Említésre méltó dolog viszont, hogy a 10 nm-es LPE (Low Power Early) gyártástechnológiát követően a 10 nm-es LPP is elérhetővé válik, ami 10% körüli teljesítmény-növekedéssel kecsegtet. A 10 nm-es LPE gyártástechnológiára szabott chip terveket természetesen 10 nm-es LPP gyártástechnológiára is át lehet ültetni, és ehhez „újratervezésre” sincs szükség.
14 nm-en nagyon jól teljesít a Samsung, ugyanis a Koreában és Texasban található üzemek teljes kihasználtsággal dübörögnek, eddig pedig már több, mint fél millió szilícium ostyát gyártottak le, méghozzá nagyon jó hibarátával, hisz a hibák aránya 0,2/négyzetcentiméter, ami versenyképes értéknek tekinthető. Ezen a téren említésre méltó előrelépés, hogy a 14LPC gyártástechnológia RF opciót kap az év végére, így rádiófrekvenciás adó-vevők és autóipari termékek egyaránt készülhetnek vele. A 28 nm-es csíkszélesség még most is komoly szereppel bír, hisz ez az utolsó költséghatékony planáris gyártástechnológia. Ugyan technikailag a 20 nm-es csíkszélesség az utolsó planáris gyártástechnológia, viszont ez mégsem olyan vonzó, mint 28 nm-es társa, hisz költségek, szivárgás és hősűrűség tekintetében a 28 nm-es csíkszélesség előnyben van. Ezért is olyan népszerű a Samsung 28FDS gyártástechnológiája, amely 28 nm-es mivolta ellenére 20 nm-es FinFET osztályú teljesítményt nyújt. A 28FDS gyártástechnológia egyébként hamarosan RF opcióval bővül, valamint a beágyazott eszközök szegmensét is hatékonyabban kiszolgálhatja majd, ahol ROM módjára használható beágyazott nem-illékony NAND Flash memóriát is kínálhat.
Tokozás-készítés terén az eddig belső használatban lévő megoldások megnyílnak, így a 2,5D interposerek is használhatóak lesznek – például HBM memóriachipek GPU-ra illesztésére. Az interposerek egyébként meglehetősen drágák, így a grafikus processzorokén kívül egyelőre semmilyen más területen nem használják őket.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!