iPon Hírek

Ígéretes az IBM legújabb fázisváltó memóriája

Dátum | 2011. 06. 30.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | ADATTÁROLÁS

Az IBM kutatómérnökei továbbfejlesztették a fázisváltó technológiára alapuló memóriát (PCM - Phase Change Memory), amely így már sokkal gyorsabb és megbízhatóbb mint volt. Az egyik legfontosabb előrelépés az, hogy a fázisváltó memóriachipek mostantól cellánként nem egy, hanem akár négy bitet is tudnak tárolni (00,01,10,11). Ezt a kutatók úgy érték el, hogy egymástól eltérő ellenállást alkalmaztak az üvegfelület adott részein, így megkülönböztethetővé váltak az egyes bitek.

Az írás és olvasás folyamatát a mérnökök a korábbinál egyaránt megbízhatóbbá tették. Írás alkalmával az új PCM memória chipeknél írás után a rendszer vizsgálja az adott cellarész ellenállását, majd ha az nem megfelelő, akkor újra elvégzi az írást, míg megfelelő eredmény nem születik (iteratív írás). Ezzel a módszerrel is el lehet érni, hogy az írási késleltetés értéke legrosszabb esetben se legyen több 10 mikroszekundumnál, ami ma a piacon elérhető leggyorsabb Flash memóriachipek által kínált sebességhez képest százszor jobb érték.

A korábbi technológiánál olvasás közben is előfordultak hibák, ugyanis az üvegréteg amorf állapotában az ellenállás az idő előrehaladtával növekedésnek indult, ami végül olvasási hibákhoz vezetett (resistance drift). Ezt a fejlesztők úgy küszöbölték ki, hogy továbbfejlesztett modulációs kódolást alkalmaztak, amely jól tűri az üvegréteg ellenállásának változását, így az ellenállás későbbi növekedésével sem kell olvasási hibákkal szembesülni.

Az új technológiát alkalmazó tesztchip.
A multi-level cell (többszintű cella) típusú PCM chip a mai NAND Flash alapú chipekhez képest nem több ezer, hanem több millió írási ciklust tud elviselni. A gyártó közleménye tízmillió írási ciklusról tesz említést és kiemeli, hogy napjainkban az átlagfelhasználóknak szánt NAND Flash chipek általában 3000 írási ciklus elviselésére képesek, míg az üzleti felhasználóknak szánt megoldások 30000 írási ciklust bírnak ki.

Az IBM által készített új PCM memóriachip 90nm-es CMOS gyártástechnológiával készült. A jelenlegi tervek szerint nagyjából 4-5 évre lesz még szükség ahhoz, hogy a fázisváltós memóriachipekkel szerelt adattárolók megjelenjenek az üzleti felhasználóknak és átlagfelhasználóknak szánt termékek szegmensében. Egyszóval 2016-ig nem nagyon számíthatunk a PCM alapú megoldások tömeges elterjedésére.

Érdekesség, hogy nemrégiben már érkeztek hírek fázisváltó memóriával ellátott SSD meghajtó prototípusról, amelynek igazság szerint még rengeteget kell fejlődnie. Az említett hír segítségével a fázisváltó memória működésével kapcsolatban is beszerezhetnek néhány hasznos információt az érdeklődők.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

4. ecsz
2011.07.01. 10:06
Csak csendben megjegyezném, hogy a (00,01,10,11) értékek pontosan 2 bitnek felelnek meg, nem négynek...
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
3. gargoyl
2011.07.01. 12:03
Csak halkan megjegyezném,hogy hülyeséget írsz.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
2. fpetya
2011.07.01. 12:37
Mindenesetre azt a mondatot bátran átfogalmazhatná a cikk szerzője...
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
1. iponnorbi
2011.07.01. 17:21
az 4 bit!
ecsz meg helyiértékről beszél
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!