iPon Hírek

Itt a világ első 128 GB-os UFS memóriachipje

Dátum | 2015. 02. 27.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | ADATTÁROLÁS

A Samsung elkészítette a világ első 128 GB-os UFS 2.0-s beágyazott memóriachipjét, amely elsősorban a következő generációs mobileszközökben kaphat helyet – itt főként felsőkategóriás okostelefonokra kell gondolni. A 128 GB-os újdonság gyors soros kapcsolatot és Command Queue eljárást használ a siker érdekében, ami komoly előrelépést hoz az eMMC alapú megoldások 8-bites párhuzamos csatolófelületéhez képest. Ráadásul az UFS Full Duplex adatátvitelt tesz lehetővé, méghozzá implementációtól függően kétszer vagy négyszer magasabb maximális adatátviteli sávszélesség mellett, mint amire az eMMC képes.
Az előbbiek eredményeként a Samsung új memóriachipje véletlenszerű olvasási feladatok alkalmával 19000 I/O műveletet tud elvégezni egyetlen másodperc alatt, ami 2,7x magasabb érték a felsőkategóriás okostelefonokban széles körben használatos eMMC 5.0 alapú megoldások teljesítményéhez képest – de még a korábban bejelentett eMMC 5.1-es termék sebességét is felülmúlja. Folyamatos írási és olvasási tempó tekintetében SSD szintű sebességre számíthatunk, méghozzá 50%-kal alacsonyabb energiafelhasználás mellett. A véletlenszerű olvasási teljesítmény egyébként nagyjából 12x gyorsabb, mint egy átlagos nagysebességű memóriakártyáé, így az újdonság jelentősen javítja az adott rendszer teljesítményét és rugalmasságát. Véletlenszerű írási feladatok alkalmával 14 000 I/O művelet elvégzésére képes a 128 GB-os UFS 2.0-s újdonság, ami 28x magasabb érték egy átlagos külső memóriakártya teljesítményéhez képest. A termék az említett sebességeknek köszönhetően lehetőséget biztosít arra, hogy az adott készüléken Ultra HD videó lejátszása mellett a multitasking funkciók is zökkenőmentesen működjenek, így a mobil felhasználói élmény új szintre emelkedhet. A Samsung UFS memóriachipjéből a 128 GB-os modell mellett 64 GB-os és 32 GB-os példány is készül. A cég szerint az UFS alapú megoldások kifejezetten a felsőkategóriás mobileszközök szegmensét veszik célba, míg eMMC alapú társaik a kereskedelem fő áramába szánt, illetve a költséghatékony termékekben kaphatnak helyet.
Annak érdekében, hogy a gyártó minél helytakarékosabb megoldás kínálhasson partnereinek, az UFS alapú beágyazott memóriachip ePOP kivitelben is elérhető lesz, amelynek lényege, hogy a NAND IC a RAM lapkákkal egybeágyazott PoP tokozásban foglalhat helyet a SoC tetején. Ezt a megoldást a Galaxy Alpha és a Galaxy Note 4 esetében már alkalmazzák, előnye pedig az, hogy segítségével értékes helyet lehet megtakarítani a nyomtatott áramköri lapon.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

2. piter
2015.02.27. 19:19
Na egy ilyen samsung note-ra vevo lennek ami 128Gb es mondjuk 4Gb ram.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
1. patrik2991 piter
2015.03.02. 07:40
Troll on: Nem nagyon hiszem, hogy még jönni fog 512MB rammal rendelkező Note.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!