iPon Hírek

Kisebb, gyorsabb, jobb DDR flash a Samsungtól

Dátum | 2009. 12. 01.
Szerző | Gabriel
Csoport | ADATTÁROLÁS

Két új változatban is megkezdte legújabb, 30nm-es flash memóriái tömeggyártását a Samsung: az egyik gyors, a másik pedig sokat bír (ez utóbbit értelemszerűen inkább csak cserélhető memóriának szánják).

A gyors egy dupla adatrátás (DDR), többszintű cellás (MLC) konstrukció, amely a DDR RAM-okhoz hasonlóan egy adott ciklus alatt kétszer annyi adatot dolgoz fel, így a hagyományos egységeknél jóval nagyobb teljesítményt ígér. Mi több, a Samsung állítása szerint akár háromszorosan is lekörözik elődeiket (elvileg 133Mb/s olvasásra is képes lehet egyetlen DDR MLC egység, szemben elődei 40Mb/s körüli értékeivel).

Ez persze csúcssebesség ideális körülmények között, de elmondásuk szerint még egy olyan összetettebb készülékben is, mint amilyen mondjuk egy flash memóriakártya, fenntartható egy 60Mb/s-os érték, ami még mindig több, mint háromszorosa az elődök átlagos 17Mb/s-ának. Mindezt úgy, hogy az egységek fogyasztása változatlan marad - így tehát valóban bármilyen készülékben felhasználhatóak.

A sokat bíró jobban sűríti az adatokat; cellánként 3 bittel dolgozik, így adott helyen másfélszer annyi adatot képes elraktározni, mint a cellánkénti 2 bitesek. A jelek szerint ezeket elsősorban 8GB-os microSDHC kártyákban hasznosítják majd, és csak később terjesztik ki nagyobb kártyákra és pendrive-okra is. A DDR-es egységek felhasználásáról annyit mondtak, hogy egyelőre csak a legnagyobb gyártók kapják meg. Kérdés, vajon ezeknek is lenyomja-e majd az árát az Apple.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

6. polarx
2009.12.01. 16:49
Én még egy szót szívesen olvasnék a címbe.. "olcsobb" vagy ha nem is olcsobb de ha nem drágább akkor már jó cucc lehet. pendrive-ra legalább jobban lehetne cuccokat másolni
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
5. tibaimp
2009.12.01. 18:09
úgy van, mondjuk nekik olcsóbb lesz, lévén ez már 30 nanos
nem tudja valaki, hogy az intel most hol tart csíkszélességben a flash mem gyártás terén?
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
4. polarx
2009.12.01. 18:19
lehet most csak a procikra gondolok de sztem 22 jön 32 már lényegében kész?! de nem vennék rá mérget.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
3. shabbarule...
2009.12.01. 19:32
tibaimp:

A Samsung jelenleg 42 nm-nél tart, a Toshiba 43 nm-en tud gyártani, az Intel és Micron közös cége az IM Flash 34 nm-en gyárt, a Hynix 41 nm-en, az Intel és az STMicro közös cége a Numonyx szintén 41 nm-en gyár NAND flash chipeket.

Jővőre a Samsung és a Toshiba megcélozza az 3x nm-es tartományt, nagy valószínűséggel mindketten a 32 nm-t. Az IM Flash jővőre a 2x nm-es tartomány célozza meg, annak is a felső felét. Pontos érték még nem ismert, de nagy valószínűséggel 28 nm körül lesz majd.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
2. tibaimp
2009.12.01. 20:33
shabbarulez: nagyon szépen köszönöm a kimerítő választ


szerintem a cikkben rosszul írták, mert egy másik oldalon 32 nm-et olvastam, csak szólok
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
1. gedezoli
2009.12.02. 18:00
Pedig az új technológiával kellene tarolni, nem pedig a lassú bevezetés mellett becsorgó bevételekből megélni.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!