iPon Hírek

Komoly tervekkel vág neki a 2017-es évnek az SK Hynix

Dátum | 2017. 01. 31.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | FŐ EGYSÉG

Az SK Hynix nemrégiben zárta le 2016-os pénzügyi évét, így a vállalat vezetése felvázolta, mit terveznek az idei évre NAND Flash és DRAM fronton. A tervek azért is érdekesek, mert NAND Flash fronton éppen hiány alakult ki a piacon, ami az árak emelkedéséhez vezetett, a helyzetet pedig a DRAM termelés visszafogásával, a NAND Flash gyártás erősítésével próbálják javítani a gyártók, ez azonban a DRAM piacon okoz kisebb hiányt, ahogy azt korábbi hírünkben már megírtuk. Tervek a DRAM szegmensben Első körben nézzük, milyen változások várhatóak DRAM fronton. Az SK Hynix 2015 vége óta használja a 21 nm-es gyártástechnológiát DRAM termelésre, idén viszont váltás jön, ugyanis megkezdődik a 10 nm-es osztályú csíkszélesség bevetése, méghozzá tömegtermelésben. A szakértők szerint a gyártó által használt „10 nm-es osztályú” kifejezés tulajdonképpen 18 nm-es gyártástechnológiát jelent, ami már 2017 második felében csatasorba állhat – eleinte a termelés felfuttatására koncentrálnak majd. A 18 nm-es csíkszélesség bevetésével a termelékenység is javul, ugyanis egy 300 milliméteres szilíciumostyára több memórialapka fér, mintha a 21 nm-es gyártástechnológiát használnának, így több lapkát gyárthat a cég.
Erre az extra kapacitásra szükség is lesz, hiszen a TrendForce elemzői szerint idén éves szinten 20%-ot meghaladó mértékben nőhet a kereslet a DRAM lapkákra, miközben a gyártók termelőkapacitása csak 19% körüli mértékben növekszik, azaz kisebb hiány kialakulására lehet számítani. A DRAM lapkákat a klasszikus asztali számítógépek és noteszgépek mellett az Intel érkező Xeon platformja, a Purley is nagy mennyiségben igényelni fogja, ami a megrendelések növekedését vonja maga után. A helyzetet tovább nehezíti, hogy az új csúcskategóriás Android okostelefonok is szintlépés előtt állnak, hiszen az érkező modellek már 8 GB-nyi LPDDR4-es vagy LPDDR4X memóriát kaphatnak. 2017 végére elkészülnek a 72 rétegű NAND Flash memóriachipek A NAND Flash piac nagyon felpörgött az utóbbi időszakban, ugyanis a mobileszközök és a különböző számítógép konfigurációk gyártói egyre nagyobb adattároló kapacitásra tartanak igényt, ehhez pedig általában több NAND Flash memóriachipre van szükség – igaz, a folyamatos fejlődés jóvoltából a NAND Flash memóriachipek kapacitása is növekszik. Ahogy a legtöbb memóriagyártó, úgy az SK Hynix is igyekszik minél nagyobb figyelmet fordítani a NAND Flash megrendelések minél hatékonyabb kielégítésére és ez a gyakorlat a jelek szerint a későbbiekben sem változik.
A vállalat éppen ezért megnövelt gyártókapacitással, illetve új memórialapkákkal áll megrendelői rendelkezésére. 3D NAND fronton az MLC alapú lapkák már nagyon régóta készülnek, rétegeik száma pedig folyamatosan növekszik. Míg 2015 folyamán még csak második generációs, 36 réteggel ellátott, 128 Gb-es kapacitású 3D MLC NAND Flash chipeket kínált a gyártó, addig tavaly már a harmadik generációs, 48 réteggel ellátott példányok is megérkeztek, amelyek már nem csak a hordozható adattárolókat, hanem a memóriakártyákat, USB meghajtókat, beágyazott adattárakat és SSD meghajtókat is célba vették. A harmadik generációs 3D NAND Flash memóriachipek esetében a fő hangsúly a 256 Gb-es, azaz 32 GB-os TLC lapkákra helyeződött. Ezzel a lapkával 256 Gb-es, 512 Gb-es, 1024 Gb-es, 2048 Gb-es és 4096 Gb-es NAND Flash memóriachipek egyaránt készíthetőek, amelyek számos felhasználási területen jöhetnek jól. Idén a negyedik generációs, 72 réteggel rendelkező 3D TLC NAND Flash lapkák is megérkeznek. Első körben ezekből 256 Gb-es 3D TLC NAND Flash példányok készülnek, amelyek a második negyedév folyamán futhatnak be, de a negyedik negyedévben már az 512 Gb-es példányok is rendelkezésre állhatnak. Utóbbiak nagyon lökést adhatnak az SSD meghajtók adattároló-kapacitásának, hisz egy-egy ilyen lapka már 64 GB-os adattároló kapacitással rendelkezik. Az SK Hynix útitervén 8192 Gb-es kapacitású MCM tokozású megoldások is jelen vannak, azaz egyetlen ilyen chip akár 1 TB-os adattároló kapacitást is nyújthat. Az új chipek érkezésével az SSD szegmens is átrajzolódhat egy kissé, azaz a kisebb adattároló kapacitású SSD-k eltűnhetnek (pl. a 120/128 GB-osak), helyüket pedig nagyobb adattároló kapacitású társaik vehetik át, hisz inkább rájuk lesz igény. Csatasorba áll az M14-es gyárkomplexum második emelete Az SK Hynix vezetése a NAND Flash gyártókapacitás bővítése érdekében munkára fogja az M14-es gyárkomplexum felső emeletét is. Arról egyelőre nincs hír, hogy ezen a téren pontosan milyen forgatókönyv érvényesül, így az sem tudható, pontosan mennyivel nőhet a havi gyártókapacitás, de az előrelépés mindenképpen üdvözlendő.
Gyárak terén érdemes még megemlíteni, hogy a vállalat hamarosan elkezdi a kínai Wuxiban található C2-es üzem tisztaszoba-területének bővítését, ami az elkövetkező két év folyamán összesen 790 millió amerikai dollárnak megfelelő összeget emészthet fel. Mivel ez az üzem DRAM lapkákat készít, így bővítés a DRAM termelés alakulására gyakorolhat majd jókora pozitív hatást.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!