iPon Hírek

Lefektette a 100Gb-es flash alapjait a Toshiba

Dátum | 2007. 12. 13.
Szerző | Gabriel
Csoport | ADATTÁROLÁS

Egész pontosan egy olyan új tervezési eljárással, ami nagyban növelheti a jövőbeli flash memóriák tárkapacitását. Az új technológia a dupla alagútréteg névre hallgat, lényege pedig az eddigieknél is kisebb gyártási folyamatok (akár 10 nm-es) lehetővé tétele; így értelemszerűen sokkal több adatot tárolhatunk el ugyanakkora helyen, valamint az adatírás és -törlés sebessége is felgyorsul.

A technika a következőképp működik: a memória tárolását elősegítő szilikon nanokristály-réteget két, alagútoxid-réteg közé zár (ez utóbbiak funkciója a szilikon rétegbe folyó és az onnan kiáramló elektromos áramfolyam vezérlése). Mivel az alagutak mindössze 1 nm-es vastagságúak, így teszik lehetővé a fent említett még kisebb gyártási folyamatokat.

A memória elektromos tisztaságának fejlesztésével együtt ez az alagútfolyamat olyan flash memóriák előállítását teszi lehetővé, amelyeg akár 100 gigabitet (12,5 gigabájtot) is képesek eltárolni egyetlen egyrétegű chipben. A cég elmondása szerint az áttörés ugyan még korai fázisában tart, de várhatóan - a technológia jelenlegi állásától számítva - négy flash memória-nemzedék múlva már elérhető lesz.

A jelenleg is használt (például az iPodokban is) NAND flash memóriák 16 gigabites folyamattal készülnek, és a gyártók általában több egyes chip és chiptömb kombinálásával érik el a nagyobb tárkapacitást. Napjainkban a flash memória nemzedékek durván évente egyszer léptek előre és minden alkalommal megduplázódott a kapacitásuk.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

1. bszoke88
2009.01.30. 00:39
vissza a hírhez
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!