iPon Hírek

Nagy dobás lehet a TLC alapú 3D V-NAND

Dátum | 2014. 07. 09.
Szerző | J.o.k.e.r
Csoport | ADATTÁROLÁS

A Samsung háromdimenziós V-NAND memóriachipjei, amelyek már a gyártó több SSD meghajtójában is feltűntek, remek alternatívának ígérkeznek a tradicionális planáris NAND Flash memóriachipekkel szemben. A 3D V-NAND Flash memóriachipek kedvezőbb áron gyárthatóak, mint hagyományos társaik, ráadásul a teljesítményük és strapabíróságuk is jobb, így mind a gyártó, mind pedig a vásárlók jól járnak velük. A 3D V-NAND Flash memóriachipek MLC alapú változatai már több Samsung SSD családban is feltűntek – elég csak az átlagfelhasználóknak szánt, 10 év garanciával érkező, második generációs 850 Pro sorozatra gondolni, vagy az üzleti felhasználóknak szánt 845 DC Pro sorozatú modellekre.
Hogy miért jó a 3D V-NAND technológia? Azért, mert egy tokozáson belül több NAND Flash lapka is helyet foglalhat, ami remek alternatíva a csíkszélesség-csökkentéssel szemben, hiszen a rétegezéssel a tradicionális planáris megoldásokhoz képest sokkal nagyobb adatsűrűség érhető el – és ehhez nincs is szükség a legmodernebb gyártástechnológia alkalmazására sem. A 3D V-NAND technológia a mintázással és interferenciával kapcsolatos problémák elkerülésében is segít, amelyek rendszerint megnehezítik a csíkszélesség-váltás folyamatát. A 3D V-NAND memóriachipek kapcsán persze az alacsonyabb fogyasztás is szerepelni szokott az ütőkártyák között. A Samsung műhelyében már készülnek is az újabb 3D V-NAND Flash memóriachipek, amelyek ezúttal nem MLC, hanem TLC alapokon nyugszanak, azaz cellánként nem kettő, hanem három bit tárolására képesek – ez jótékonyan hat az adatsűrűség alakulására. Persze a TLC memóriachipek a bonyolultabb vezérlés miatt lassabban írhatóak és kevésbé strapabíróak, mint MLC alapú társaik. Az alacsonyabb írási sebesség valós probléma, de az eddigi tesztek alapján strapabíróság tekintetében a TLC alapú SSD meghajtókat sem kell lebecsülni.
A TLC lapkák hamarosan 3D V-NAND Flash memóriachipek belsejében is feltűnhetnek, ahol az eljárás sajátosságai miatt jobb strapabíróság és jobb írási sebesség mellett üzemelhetnek, mint a planáris megoldásokban. A 3D V-NAND csökkentett interferenciája miatt egyszerűbb algoritmusokkal is bevethetőek a TLC NAND Flash memóriachipek programozásához, így az írási teljesítmény növekedhet. A strapabíróság növekedését pedig az okozza, hogy a 3D V-NAND Flash memóriachipekben lebegőkapuk helyett CFT (Charge Trap Flash) technológiát alkalmaznak. Hogy ezt hogy kell elképzelni? A lenti két kép, illetve a fenti videó megmutatja.
A Samsung cellánként három bit tárolására képes 3D V-NAND memóriachipjei hamarosan elkészülnek, így a termékek jó eséllyel még idén feltűnhetnek a gyártó legújabb SSD meghajtóiban. A gyártó egy korábbi közleményében az állt, hogy az idei év folyamán nagyobb adatsűrűségű 3D V-NAND alapú megoldások is bemutatkoznak majd, valószínűleg erre gondolhattak.
Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

1. Steadywarp
2014.07.10. 01:00
Ez semmi... Már dolgoznak mások a 4D NAND Flash memóriachipen ami cellánként közel végtelen bit tárolására képes. A 4. dimenzióban sok lehetőség van, mert az eszköz élete során akár mikori rá irt bitet vagy még rá sem írt bitet elő lehet állítani. Ha van egy ilyen 4D SSD-d bár mikor játszhatsz a Half-Life hárommal de akár a négyel is.
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!