iPon Hírek

Új szupertáregységek Japánból

Dátum | 2008. 09. 28.
Szerző | Gabriel
Csoport | ADATTÁROLÁS

Olyan új eljárást fedeztek fel a Tohoku Egyetem kutatói, amelynek segítségével sokkal gyorsabbá és energiahatékonyabbá tehetik a különböző tároló egységeket - memóriákat és merevlemezeket is.

Az újdonság a már említett tárhelyfajták mágneses doménjeinek átváltására jelenleg használt elektromágneses módszert váltaná le, egy pusztán elektromos feszültség alapú módszerrel. Maguk a mágneses domének nem mások, mint egyes parányi területek mágneses anyagokon belül, amelyek önálló mágnesekként viselkednek, és így külön állítható a polaritásuk is, ezzel kódolva a bináris egyeseket és nullákat. Az eddigi elektromágneses váltás helyett így tehát egy közeli elektróda kerülne áram alá, amelynek az így létrejövő elektromos mezeje máris átfordítja a kívánt doméneket.

A kutatók abból indultak ki, hogy egyes anyagokban a mágneses domének irányultsága a bennük lévő töltéshordozók (pl. elektronok) sűrűségével függ össze - egy vas-alapú félvezető felhasználásával így máris el tudták forgatni a doméneket 10 fokkal. Ami persze még nyilvánvalóan kevés, hiszen 180 fokra van szükség, ám a kutatók jelenleg is dolgoznak az anyagszerkezet olyan megfelelő módosításán, amelynek eredményeképp végül meglehet ez a 180 fok is.

Ennek eredményeképp pedig a jelenlegi STT-RAM-oknál sokkalta gyorsabb és energiahatékonyabb MRAM-okat készíthetnének. Nos - sok sikert nekik, kíváncsian várjuk az eredményeket.

Új hozzászólás írásához előbb jelentkezz be!

Eddigi hozzászólások

2. bszoke88
2008.09.28. 16:01
vissza a cikkhez
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!
1. TaRsY
2008.09.28. 17:21
Ehj de érdekes...
 
Válasz írásához előbb jelentkezz be!